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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM90N06Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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爱德微

Drain Current ?밒D= 90A@ TC=25C

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科信电子

更新时间:2025-12-29 17:06:01
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