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SRT110N10HP

SGT

SALLTECH

萨瑞微电子

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 17mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

Standard Size Toggle Switch

文件:2.77001 Mbytes Page:14 Pages

COPAL

尼得科

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.31611 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220

文件:236.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

文件:314.72 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-31 16:51:00
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