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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

920--960 MHz, 58 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA Perfor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-12-28 19:10:01
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