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RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

920--960MHz,58WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor

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更新时间:2024-6-5 13:58:01
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