位置：首页 > IC中文资料 > SQ4961EY-T1-GE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SQ4961EY-T1-GE3 | Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -60V, ID= -5 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 |   | |
SQ4961EY-T1-GE3 | Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：1.91276 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
SQ4961EY-T1-GE3 | Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：193.88 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-21 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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