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SQ4961EY-T1-GE3中文资料

厂家型号

SQ4961EY-T1-GE3

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1053.33Kbytes

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5

功能描述

Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

SQ4961EY-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

Features

VDS= -60V, ID= -5 A

RDS(ON) < 66mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 70mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

更新时间:2025-11-21 20:31:00
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