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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SPZT3904T1G | General Purpose Transistor 文件：147.96 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
SPZT3904T1G | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
SPZT3904T1G | General Purpose Transistor | ONSEMI 安森美半导体 | | |
General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
General Purpose Transistor 文件：147.96 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
General Purpose Transistor 文件：147.96 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
SPZT3904T1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPZT3904T1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SS HC XSTR SPCL
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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ON |
23+ |
SOT-223 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT-223 |
20000 |
只做原装 |
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ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
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onsemi |
21+ |
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只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON |
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SOT-223 |
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ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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SQ0826-0001 TDM USB 连接器
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2023-6-12SPZ1VM101E08O00RAXXX
属性 参数值 商品目录 固态电解电容 脚间距（mm） 2.5 容值 100uF 精度 ±20%_ 额定电压 35V ESR串联电阻 50 mΩ @ 100kHz 工作寿命 2000Hrs @ 105℃ 额定纹波电流 2.35A @ 100kHz 外观尺寸(￠DxL，mm) 6.3x8 工作温度 -55℃ ~ +105℃
2020-11-4SQ2301ES-T1-GE3
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2020-9-11SQ2301ES-T1-GE3
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