SQ2301ES-T1-GE3
晶体管极性: P沟道
漏源电压， Vds: 20V
电流， Id 连续: 3.9A
在电阻RDS（上）: 0.08ohm
晶体管封装类型: TO-236
晶体管安装: 表面安装
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压 Vgs: 450mV
功耗 Pd: 3W
针脚数: 3引脚
工作温度最高值: 175°C
产品范围: -
汽车质量标准: AEC-Q101
MSL: MSL 1 -无限制
6月18日消息，昨日深交所互动平台上，有投资者向中兴通讯提问，希望了解5nm工艺芯片方面的进展。中兴方面则透露，公司具备芯片设计和开发能力，7nm芯片已规模量产，并在全球5G规模部署中实现了商用，5nm芯片则正在技术导入阶段。
这意味着我国自研5nm芯片或不再只被掌握在华为一家手里，带给国内半导体行业更多新的希望。
众所周知，中兴、华为在2018年和2019年，先后遭到美国方面的制裁，中兴还受过美方的两次制裁。但不同的是，中兴很多芯片业务原本都是依靠美国公司，处理方式也截然不同，华为最近的进展情况可能大家都很熟悉，那中兴这边又是如何呢？
经历过风波之后，中兴也多次表态会加强自研芯片业务。总裁徐子阳曾在股东大会上表示，加大中兴微电子在芯片领域的研发投入，比如基带芯片、5G传输交换芯片、IP芯片等。这段时间，中兴一直在“埋头苦干”，以至于我们一直将视线放在了华为以及台积电等身上。
中兴能够在5nm方面取得成功，与其研发的高投入是密不可分的。根据中兴副总裁、首席运营官谢峻石的说法，过去三年中兴每年用在研发上的资金高达121亿元。
据悉，这些芯片不是5G SoC（片上系统），而是5G设备和基础设施的核心部分，其中基于5nm的芯片将会带来更高的性能和更低的功耗。中兴总裁徐子阳在最近的一次采访中表示，公司正在开发5nm芯片组，预计5G智能手机的功耗和重量将以每年20％的速度下降，但未透露有关正在开发的芯片的更多细节。
在本月初的“中国5G发牌一周年”线上峰会上，中兴通讯虚拟化产品首席科学家屠嘉顺也表示，基于7nm工艺的多模基带芯片和数字中频芯片成功实现算力提升功耗降低。而明年发布的5nm工艺芯片，那就更值得期待了。
香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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