型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPI80N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

文件:974.83 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

文件:1.06093 Mbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.6474 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

文件:887.74 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

SPI80N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI80N10L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-7-23 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
I2PAK
22709
奇力新
24+
SMD
939
全新原装数量均有多电话咨询
INFINEON/英飞凌
25+
TO-262
10000
全新原装现货库存
SANKEN
24+
SOP
990000
明嘉莱只做原装正品现货
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
ADI/亚德诺
22+
66900
原封装
INF
24+
NA/
34
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
SANKEN
ROHS
56520
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
CHANNEL
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
AD
22+
PLCC20
5000
原装现货库存.价格优势

SPI80N10L芯片相关品牌

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