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位置：首页 > IC中文资料第8785页 > SPI11N65C3

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPI11N65C3

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)forta

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
SPI11N65C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPI11N65C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated

文件：1.01964 Mbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
SPI11N65C3

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：574.74 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
ISPP11N65C3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPA11N65C3

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)forta

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
11N65C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.033599 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPA11N65C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated

文件：1.01964 Mbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
SPA11N65C3

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：574.74 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

SPI11N65C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI11N65C3

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPI11N65C3供应商更多...

更新时间：2025-6-24 9:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华斯顿科技有限公司
SPI11N65C3
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SPI11N65C3
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SPI11N65C3
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    联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 ShenzhenGuanghuaMicroTechnologyCo.，Ltd 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-10-14

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