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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPD11N10 | SIPMOSPower-Transistor 文件：493.19 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
SPD11N10 | N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.01094 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.62937 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.66513 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
SIPMOSPower-Transistor 文件：493.19 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SPD11N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD11N10
- 功能描述
MOSFET N-CH 12 V 30 mA
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
INFINEON |
22+ |
T0-252 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+/23+ |
TO-252 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252(DPAK) |
30000 |
只做正品原装现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
10800 |
只做原装 欢迎咨询 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2122+ |
TO-252 |
10000 |
全新原装进口,价格美丽 |
|||
INFINEON |
2019 |
TO252 |
55000 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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2019-6-18
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