型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.6Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRIPTION • Ultra low gate charge • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.6Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perform

ISC

无锡固电

Cool MOS Power Transistor

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Infineon

英飞凌

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

文件:625.63 Kbytes Page:15 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET

文件:2.12298 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPD07N60C3T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPD07N60C3T

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    CoolMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-5 20:00:02
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