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LC21090B	INTEGRATED CIRCUITS [SANYO] INTEGRATED CIRCUITS Gate Arrays (monolithic ICs)	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MRF21090	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts 4.096 MHz BW	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21090	RF Power Field Effect Transistors The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications at frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance for 214	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
AGR21090EF	90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：427.73 Kbytes Page：9 Pages	TRIQUINT	TRIQUINT
AGR21090EU	90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：427.73 Kbytes Page：9 Pages	TRIQUINT	TRIQUINT

SPC21090供应商更多...

更新时间：2026-5-23 19:23:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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SPC5602BK0CLH4
原装正品现货
2022-5-24
SPC5200CBV400B
https://hfx03.114ic.com/
2022-3-28
SPC5602BK0VLL6
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2021-3-17
SPB100N032L-03，SPB100N04S2L-03，SPB11N60C2，SPB11N60S5E3045A，SPB160N04S2-03，SPB20N60C3E3045A，SPB80N03S2L-03，SPB80N03S2L05，SPB80N03S2L-05，SPB80N06S2L-05，SPB80P06P，SPP02N60S5，SPP04N60C2
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2019-12-16
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SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10