SPB80N10L价格

参考价格:¥9.1924

型号:SPB80N10LG 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有SPB80N10L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SPB80N10L批发/采购报价,SPB80N10L行情走势销售排行榜,SPB80N10L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SPB80N10L

SIPMOS Power-Transistor

Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated

Infineon

英飞凌

SPB80N10L

SIPMOS Power-Transistor

Infineon

英飞凌

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:974.83 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06093 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.6474 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:887.74 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

SPB80N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB80N10L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-29 22:59:00
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INFINEON/英飞凌
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