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位置：首页 > IC中文资料第4983页 > SPA04N60C2

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPA04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
SPA04N60C2

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPB04N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
04N60C2

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.94929 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
04N60C2

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：2.12878 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SPA04N60C2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPA04N60C2

  • 制造商

    INFNON

SPA04N60C2供应商更多...

更新时间：2025-7-22 11:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
SPA04N60C2
VBsemi
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P-TO220-3-1
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只做原装进口现货,专注配单
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SPA04N60C2规格书下载地址

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    https://hch01.114ic.com/

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    SPB100N032L-03，SPB100N04S2L-03，SPB11N60C2，SPB11N60S5E3045A，SPB160N04S2-03，SPB20N60C3E3045A，SPB80N03S2L-03，SPB80N03S2L05，SPB80N03S2L-05，SPB80N06S2L-05，SPB80P06P，SPP02N60S5，SPP04N60C2

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    特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准

    2012-11-10

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