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30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V –25V). Features · –40A, –30 V. RDS(ON)= 20

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -30A RDS(ON)

Bychip

百域芯

AND gate

文件:72.83 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托

10/100 Base-T Single Port

文件:387.34 Kbytes Page:1 Pages

APITECH

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.02648 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-11 20:00:01
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  • SP6686ER-L

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    2020-3-15
  • SP6680EU-评估板手册

    特点 ■对于蜂窝电话的SIM卡应用的理想选择 ■低调,电感器稳压器 ■高达96%的电源效率 ■2.7 V至6.3 V输入电压范围 ■5.8V输出电压 ■60毫安输出电流 ■75μA静态电流 ■4μA的关断电流 ■外部的32.768kHz的时钟输入 ■三个可编程电荷泵频率:8.192kHz,32.768KHZ,和262.14kHz ■内部振荡器,在16.7kHz,当CLK引脚保持高电平 ■节省空间的10 -引脚μSOIC封装

    2012-12-20
  • SP6661-高频率200毫安充电泵逆变器或倍增...

    特点 ■反转或双打输入电压 ■在100mA的电源效率92% ■120kHz/900kHz可选的振荡器频率 ■4.5Ω输出电阻使用3.3μF的陶瓷电容 ■低电压电池操作 ■为3.6V的锂离子电池或5.0V输入的理想选择 ■高输出电流 - 200毫安 ■低简介解决方案 ■1.5V保证逆变器启动 ■引脚兼容的高电流升级ICL7660和660行业标准 ■最小封装为660行业标准 - 8针μSOIC SP6661是一个CMOS单片电压的DC - D

    2012-12-20
  • SP6828-+3 V,低电源电压的逆变器

    特点 99.9%,电压转换效率 1.15 V至4.2 V输入电压范围 1.15 VIN的保证启动 反转输入电压 20mA的静态电流的SP6828 40毫安静态电流的SP6829 25毫安输出电流 12kHz的工作频率的SP6828 35KHZ工作频率的SP6829 理想为3.6 V锂离子电池 应用 反向3.6 V锂离子电池保护 5引脚SOT23封装+3 V低电源电压逆变器 SP6828/6

    2012-12-19
  • SP6832-高转速,高效率的高压变频器

    特点 99.9%,电压转换效率 1.15 V至5.3 V输入电压范围 1.15 VIN的保证启动 反转输入电压 700毫安静态电流 25毫安输出电流 500kHz的工作频率 理想为3.6 V锂离子电池 应用 反向电池保护 5引脚SOT23封装 19W输出电阻 0.1%或0.33μF的电容 SP6832器件是CMOS电荷泵电压逆变器,可以实现在设计需要一个负电压从低如1.

    2012-12-19