副边控制六级能效恒压系列产品

SP6616P是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在13W以内的方案。SP6616P在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6616P在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流 • 全电压满足输入待机功耗小于75mW\n• 4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力\n• 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗\n• 固定55KHz开关频率\n• 低启动电流，低工作电流\n• 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）\n• 输出过压保护（VOUT OVP）\n• DIP7无铅封装;

Ultrahigh-Speed Switching Applications

N-Channel Silicon MOSFET Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. • Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

SMPS PRIMARY IC

The Series STR-F6600 is specifically designed to satisfy the requirements for increased integration and reliability in off-line quasi-resonant flyback converters. The series incorporates a primary control and drive circuit with discrete avalanche-rated power MOSFETs. Covering the power range from

SMPS PRIMARY IC

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

文件：40.47 Kbytes Page：4 Pages

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages