丝印代码：ADKX；SP11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode

Description Avalanche breakdown diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repetitive

普通ESD保护

该瞬态抑制二极管采用专有的硅 雪崩技术制造，用于为可能遭受 破坏性静电放电（ESD）的 电子设备提供高级保护。 这种可靠的瞬态抑制二极管 可在 ±30kV（接触 和空气放电，IEC 61000-4-2）条件下安全地吸收反复性ESD震击，而不会出现性能 减退。此外，SP1124T的箝位电压低，可提供高达20A 8/20 的浪涌额定值。 • ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电\n• EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）\n• 雷击，IEC61000-4-5第2版，20A（tp=8/20μs）\n• 低箝位电压\n• 泄露电流低\n• 湿度灵敏性等级（MSL-1）\n• 无铅，符合RoHS标准;

DC-DC系列产品

SP1128FM是一款同步降压型PWM控制器，设计允许芯片在9V到45V的宽输入电压范围内工作。该芯片可以驱动双路输出8A（4A+4A）。由于采用跳周期技术，输入电压是12V时，系统待机电流低至2.5mA。该芯片采用独有的技术来保证恒流精度，同时灵活的外部补偿设计使得反馈环路控制有着很好的输入和输出变化调整能力。\r\n\r\n SP1128FM具有恒压和恒流两种工作模式，输出过流点通过电阻进行设置。而且芯片提供完善的保护机制，具体包括：输出过流保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护。\r\n\r\n SP1128FM采用SSOP10L封装形式，应用只需要很少的外部器件

封装/外壳：0603（1610 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 24VWM 44.7VC 2DFN 电路保护 TVS - 二极管

SP1124T Discrete Unidirectional TVS Diode

SP1124T Discrete Unidirectional TVS Diode

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封装/外壳：0603（1608 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 24VWM 42.9VC 2DFN 电路保护 TVS - 二极管

JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion)

JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion

SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

Operational Amplifiers

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