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SN64BCT757DWR.A | OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) High-Impedance State During Power Up and Power Down Open-Collector Outputs Drive Bus Lines or Buffer-Memory Address Registers Package | TI 德州仪器 |   | |
OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) High-Impedance State During Power Up and Power Down Open-Collector Outputs Drive Bus Lines or Buffer-Memory Address Registers Package | TI 德州仪器 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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TI(德州仪器) |
24+ |
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TI |
20+ |
NA |
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TI(德州仪器) |
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NA |
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TexasInstruments |
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ICINVERTERDUAL4-INPUT20S |
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TI(德州仪器) |
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