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SMS1200032M2

1200V 32mΩ Silicon Carbide Power MOSFET

High blocking voltage with low on-resistance High switching speed with low capacitance Very fast and robust intrinsic body diode with low reverse recovery Very low switching losses Excellent avalanche ruggedness RoHS compliant

SANAN

三安光电

更新时间:2025-9-26 22:59:00
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