技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 9.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1821pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
FDS6898