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SMBT3906晶体管资料

  • SMBT3906别名:SMBT3906三极管、SMBT3906晶体管、SMBT3906晶体三极管

  • SMBT3906生产厂家:德国西门子AG公司

  • SMBT3906制作材料

  • SMBT3906性质:射频/高频放大 (HF)_通用 (G)

  • SMBT3906封装形式:贴片封装

  • SMBT3906极限工作电压:40V

  • SMBT3906最大电流允许值:0.2A

  • SMBT3906最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SMBT3906引脚数:3

  • SMBT3906最大耗散功率:0.33W

  • SMBT3906放大倍数

  • SMBT3906图片代号:H-15

  • SMBT3906vtest:40

  • SMBT3906htest:999900

  • SMBT3906atest:0.2

  • SMBT3906wtest:0.33

  • SMBT3906代换 SMBT3906用什么型号代替

SMBT3906价格

参考价格:¥0.1150

型号:SMBT3906E6327 品牌:INF 备注:这里有SMBT3906多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SMBT3906批发/采购报价,SMBT3906行情走势销售排行榜,SMBT3906报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SMBT3906

PNP Silicon Switching Transistor

PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904 MMBT3904 (NPN) • SMB

INFINEON

英飞凌

SMBT3906

AF 快速开关晶体管

PNP硅开关晶体管 • 高直流电流增益:0.1 mA 至 100 mA\n• 两个(电流)内部隔离晶体管,在一个封装中具有良好的匹配性\n• SMBT3906S/U:有关卷轴方向,请参见下面的封装信息\n• 符合 AEC Q101 要求;

INFINEON

英飞凌

SMBT3906

High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage

文件:888.02 Kbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistor Array

PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904 MMBT3904 (NPN) • SMB

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistor Array

PNP Silicon Switching Transistor Array • High DC current gain: 0.1mA to 100mA • Low collector-emitter saturation voltage • Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package • Complementary type: SMBT 3904S (NPN)

SIEMENS

西门子

AF 快速开关晶体管

PNP硅开关晶体管 • 高直流电流增益:0.1 mA 至 100 mA\n• 对于 SMBT3906S 和 SMBT3906U:\n• 互补类型:SMBT3904 MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/U:有关卷轴方向,请参阅下面的封装信息\n• 符合 AEC Q101 要求;

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistor Array

PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package • Complementary types: SMBT3904 MMBT3904 (NPN) • SMB

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistors

文件:892.14 Kbytes Page:12 Pages

INFINEON

英飞凌

High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage

文件:888.02 Kbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

Dual General Purpose Transistor

文件:132.5 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Dual General Purpose Transistor

文件:132.5 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PNP Silicon Switching Transistors

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INFINEON

英飞凌

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

INFINEON

英飞凌

AF 快速开关晶体管

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistors

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INFINEON

英飞凌

High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage

文件:888.02 Kbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistors

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INFINEON

英飞凌

PNP Silicon Switching Transistors

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INFINEON

英飞凌

High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage

文件:888.02 Kbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印代码:7B*;PNP switching transistor

DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: MMBT3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment.

PHILIPS

飞利浦

General Purpose Transistor(NPN Silicon)

General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

PNP switching transistor

DESCRIPTION PNP transistor in a plastic TO-92; SOT54 package. NPN complement: MPS3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.

PHILIPS

飞利浦

General Purpose Transistor

General Purpose Transistor PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

文件:433.04 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMBT3906产品属性

  • 类型

    描述

  • hFE:

    100 to 300

  • ICBOmax:

    50 nA

  • ICmax:

    10 mA

  • IC:

    200 mA

  • Ptotmax:

    330 mW

  • VCBOmax:

    40 V

  • VCEOmax:

    40 V

  • VCE:

    1 V

  • VEBOmax:

    5 V

  • Polarity:

    PNP (Single)

更新时间:2026-8-1 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
SMD
16900
正规渠道,只有原装!
INFINEON
24+
SOT23
7850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon(英飞凌)
25+
-
12421
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
VCC
25+
LED透镜
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
VISUALCOMMUNICATIONSCO
25+
NA
5000
可订货具体请确认
Infineon/英飞凌
2019+
SOT23
36000
原盒原包装 可BOM配套
ON
24+
SOT363
9000
只做原装 假一赔十
BEINDART/比英达特
22+
SMD
20000
公司只有原装 品质保障
24+
300
INFINEON
16+
SC74
9000
进口原装现货/价格优势!

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