| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure provides | Philips 飞利浦 |   | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI PTB32005X is Designed for Common Base General purpose amplifier Applications up to 4.2 GHz. FEATURES INCLUDE: • Diffused Emitter Ballasting Resistor • Hermetic Flange Package • Gold Metelization | ASI | | ||
GaAs Varactor Diodes Hyperabrupt 文件：189.63 Kbytes Page：4 Pages | Microsemi 美高森美 | | ||
Duplex Multimode 62.5-125 Fiber Patch Cable (LC-LC), 5M (16-ft.) 文件：490.97 Kbytes Page：2 Pages | TRIPPLITE | | ||
Duplex Multimode 62.5-125 Fiber Patch Cable 文件：479.04 Kbytes Page：2 Pages | TRIPPLITE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装正品，假一赔十
2020-6-5SL0902A090SM气体放电管-GDT/气体等离子体避雷器
气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 ， 90 V 3 Electrode 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 ， 3.5 kV 5.5 mm 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 ， 2 Electrode 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 ， 5.5 mm 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 ， 20 kA 气体放电管 - GDT
2020-4-8SL3.50/03/90G3.2SNORBX原装魏德米勒端子，深圳现货
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。主营：魏德米勒，TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-4-1SL431AM-可编程电压基准
特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C（典型值）系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差：±1.0％（打= 25℃） 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等
2013-3-15
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