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芯片资料

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RUE002N02	1.2V Drive Nch MOSFET Features 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Applications Switching	ROHM 罗姆	ROHM
RUE002N02TL-TP	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features © Vos=20Vb=08A Rosion=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Rosion = 300m0@ Ves=2.5V (typ) + ESD Protection	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
RUB002N02	1.2V Drive Nch MOSFET 文件：1.18413 Mbytes Page：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUM002N02	1.2V Drive Nch MOSFET 文件：220.83 Kbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

SL002N02K供应商更多...

更新时间：2025-12-26 17:10:01

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2020-7-25
SL0902A090SM气体放电管-GDT/气体等离子体避雷器
气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器， 90 V 3 Electrode 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器， 3.5 kV 5.5 mm 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器， 2 Electrode 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器， 5.5 mm 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器， 20 kA 气体放电管 - GDT
2020-4-8
SL05.TCT
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2019-12-17
SKY85735-11射频放大器
联系人：刘冬英电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 Shenzhen Guanghua Micro Technology Co.， Ltd 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-10-10
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2019-6-14
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2019-6-11