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BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Features 600V, 5A, Low VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop technology Optimized for conduction Robust RoHS compliant* Applications Switch-Mode Power Supplies (SMPS) Uninterruptible Power Sources (UPS) Power Factor Correction (PFC)

Bourns

伯恩斯

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

N -Channel P ower MOSFET

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至尚臻品

N-Channel Power MOSFET

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

更新时间:2025-12-30 18:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-89
19570
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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1569
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24+
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专注配单,只做原装进口现货
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