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HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

Features  Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.2Ω (Typ.)  Low gate charge: Qg=21nC (Typ.)  Low reverse transfer capacitance: Crss=5pF (Typ.)  Lower EMI noise  RoHS compliant device  100% avalanche tested

KODENSHI

可天士

HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

Features  Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.2Ω (Typ.)  Low gate charge: Qg=21nC (Typ.)  Low reverse transfer capacitance: Crss=5pF (Typ.)  Lower EMI noise  RoHS compliant device  100% avalanche tested

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New Generation N-Ch Power MOSFET

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更新时间:2025-12-29 11:12:01
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