型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SJD127T4G

包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

包装:散装 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur

Motorola

摩托罗拉

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Complementary Darlington Power Transistor

文件:87.53 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Complementary Darlington Power Transistor

文件:136.31 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SJD127T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SJD127T4G

  • 功能描述

    TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    *

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2025-8-17 10:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BRIGHTKING/君耀
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  • SK70DT16SK70DT12

    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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