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位置：首页 > IC中文资料第129页 > MJD127T4

MJD127T4价格

参考价格：￥1.1424

型号：MJD127T4 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有MJD127T4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD127T4批发/采购报价，MJD127T4行情走势销售排行榜，MJD127T4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD127T4

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur

Motorola

摩托罗拉

MJD127T4

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD127T4

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD127T4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD127T4

Complementary Darlington Power Transistor

文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4

Complementary Darlington Power Transistor

文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4

Low voltage PNP power Darlington transistor

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD127T4G

达林顿管

hxymos

华轩阳电子

MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD127T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD127T4

  • 功能描述

    达林顿晶体管 PNP Power Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJD127T4供应商更多...

更新时间：2025-9-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD127T4
ST(意法半导体)
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ONSEMI
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MJD127T4
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