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E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIHW22N65E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHW22N65E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流

    22 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.18 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-247 AD

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-10-4 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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NA/
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VISHAY/威世
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990000
明嘉莱只做原装正品现货
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