型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SIHW22N65E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHW22N65E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流

    22 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.18 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-247 AD

  • 封装

    Bulk

更新时间:2024-6-16 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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NA/
8735
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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100000
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VISHAY/威世
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990000
明嘉莱只做原装正品现货
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