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SIHB33N60E-GE3价格
参考价格：￥19.9220
型号：SIHB33N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHB33N60E-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB33N60E-GE3批发/采购报价，SIHB33N60E-GE3行情走势销售排行榜，SIHB33N60E-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHB33N60E-GE3 | E Series Power MOSFET 文件：226.49 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHB33N60E-GE3 | 包装：卷带（TR） 描述：MOSFET N-CH 600V D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | Infineon 英飞凌 | | |
E Series Power MOSFET 文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：184.2 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：328.7 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIHB33N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB33N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-263-3 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAY/威世 |
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
26909 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO-263 |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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VISHAY(威世) |
2447 |
TO-263-2 |
105000 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-263-3 |
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2019-12-3
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