SIHB33N60E-GE3价格

参考价格:¥19.9220

型号:SIHB33N60E-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SIHB33N60E-GE3多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHB33N60E-GE3批发/采购报价,SIHB33N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHB33N60E-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIHB33N60E-GE3

E Series Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHB33N60E-GE3

包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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英飞凌

E Series Power MOSFET

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E Series Power MOSFET

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E Series Power MOSFET

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SIHB33N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB33N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 17:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
TO-263-3
9000
原装正品假一罚百!可开增票!
Vishay(威世)
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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原装正品真实现货杜绝虚假
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Infineon Technologies
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VISHAY(威世)
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TO-263-2
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