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SIHB33N60E-GE3价格
参考价格：￥19.9220
型号：SIHB33N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHB33N60E-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB33N60E-GE3批发/采购报价，SIHB33N60E-GE3行情走势销售排行榜，SIHB33N60E-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHB33N60E-GE3 | E Series Power MOSFET 文件：226.49 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
SIHB33N60E-GE3 | 包装：卷带（TR） 描述：MOSFET N-CH 600V D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | Infineon 英飞凌 | | |
E Series Power MOSFET 文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：184.2 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：328.7 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
SIHB33N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB33N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263-3 |
9000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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VISHAY |
24+ |
TO-263-3 |
65300 |
一级代理/放心采购 |
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VISHAY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-263-3 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
VISHAY/威世通 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263-3 |
73554 |
18万条库存 一站式配齐 |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配单提供样品 |
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2019-12-3
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