SIHB12N65E-GE3价格

参考价格:¥8.4803

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

E Series Power MOSFET

文件:181.13 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHB12N65E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB12N65E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    700 V

  • 闸/源击穿电压

    20 V

  • 漏极连续电流

    12 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.392 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    D2PAK-3

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-11-24 20:07:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGIC
24+
SMD
9558
全新原装数量均有多电话咨询
VISHAY/威世
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