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SIE850DF-T1-GE3

SIE850DF-T1-GE3

STMicroelectronics

STMicroelectronics

 

SIE850DF-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIE850DF-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
410
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Vishay(威世)
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原装现货假一赔十
VISHAY
2020+
QFN
100
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
VISHAY/威世
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货

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