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SIE802DF-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIE802DF-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 19:44:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
13+
QFN
1851
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY
23+
QFN
50000
只做原装正品
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
VISHAY
QFN
53650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAY/威世
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POLARPAK
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24+
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