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SIDR402DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM • Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see w

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威世科技威世科技半导体

SIDR402DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

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威世科技威世科技半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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更新时间:2025-8-6 23:00:00
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