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SIDC81D120H8

Fast switching emitter controlled 3 diode chip

Features • VRRM = 1200 V • IFn = 150 A • 1200 V emitter controlled technology • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient Description Recommended for: • Power modules • Discrete devices

Infineon

英飞凌

SIDC81D120H8

二极管裸片

Infineon

英飞凌

包装:带盒(TB) 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-30 23:00:00
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