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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● 50V, 3A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handing capability. ● Surface Mount Package.

CET

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These

Fairchild

仙童半导体

Cat 5e UTP Patch Cable

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ASSMANNAssmann Electronics Inc.

阿斯曼电子

16-channel Fm I2C-bus 57 mA constant current LED driver

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Philips

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Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns

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知名厂家

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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    2020-9-18
  • SIA413DJ-T1-GE3原装现货

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    2020-7-30
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    2020-7-30
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    2020-7-30
  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...

    2013-2-7
  • SI9987-缓冲H桥

    该Si9987是一个综合的,缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13

    2013-2-7