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位置：首页 > IC中文资料第467页 > SI9945AEY-T1-E3

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI9945AEY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：1.0906 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SQ9945AEY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：1.92048 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SQ9945AEY-T1-E3

Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：129.91 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SI9945AEY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9945AEY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SI9945AEY-T1-E3供应商更多...

更新时间：2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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Vishay(威世)
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    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；

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    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

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    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30

  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作

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  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...

    2013-2-7

  • SI9987-缓冲H桥

    该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13

    2013-2-7

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