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SI9945AEY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI9945AEY-T1-E3

文件大小

1090.6Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI9945AEY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9945AEY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 15:01:00
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