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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI9939DY

Complimentary 30-V (D-S) MOSFET

文件:78.07 Kbytes Page:6 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si9939DY

N/P-Channel 30-V (D-S) Pair

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 30V, 7A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 4.5V. ■ -30V, -3.5A, RDS(ON) = 100mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 160mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability.

CET

华瑞

SPI Programmable-Gain Amplifier with Input Vos Trim and Output Op Amp

General Description The MAX9939 is a general-purpose, differential-input programmable-gain amplifier (PGA) that is ideal for conditioning a variety of wide dynamic range signals such as those found in motor current-sense, medical instrumentation, and sonar data acquisition applications. It feat

MAXIM

美信

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel)

文件:754.85 Kbytes Page:9 Pages

CET

华瑞

SPI Programmable-Gain Amplifier with Input VOS Trim and Output Op Amp

文件:368.12 Kbytes Page:15 Pages

MAXIM

美信

SI9939DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9939DY

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.5A 2W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-17 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILICON
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SOP8
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