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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI9939DY-T1-E3 | N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON) | Bychip 百域芯 |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAT |
24+ |
NA/ |
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SI |
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Bychip |
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VISHAY/威世 |
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SOP-16P |
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...
2013-2-7SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7
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