SI9936价格

参考价格:¥3.6019

型号:SI9936BDY-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI9936多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI9936批发/采购报价,SI9936行情走势销售排行榜,SI9936报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching ■ TrenchMOS™ technology. Applications ■ DC to DC convertors ■ DC motor control ■ Lithium-ion battery applications ■ N

Philips

飞利浦

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= 30V, ID= 6.5 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

SPICE Device Model Si9936BDY

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

Power MOSFETs

NEXPERIA

安世

30-V (D-S) Dual

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

RS232/423 Low Cap, #24-15c, FPE, O/A FoilBraid, PVC Jkt, CM

Product Description Computer EIA RS-232/423 Cable, 24 AWG stranded (7x32) tinned copper conductors, Datalene® insulation, overall Beldfoil® (100 coverage) + tinned copper braid shield (65 coverage), drain wire, PVC jacket.

BELDEN

百通

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.03289 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Industrial temperature calibration selection guide

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.025109 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI9936产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9936

  • 制造商

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    MOSFET DUAL NN SO-8

更新时间:2025-12-27 10:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILICONIX
20+
2500
全新现货热卖中欢迎查询
SILICONIX
2022+
1400
全新原装 货期两周
VISHAY/威世
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
VISHAY/威世
2019+
SOP8
18000
原厂渠道 可含税出货
VISHAY
0237+
SOP-8
2500
原装现货海量库存欢迎咨询
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Fairchild/ON
22+
8SO
9000
原厂渠道,现货配单
97+
SOP8
2890
全新原装进口自己库存优势
VISHAY/威世
2021+
SO-8
9000
原装现货,随时欢迎询价

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    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单,当天发货;

    2020-9-18
  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25
  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...

    2013-2-7
  • SI9987-缓冲H桥

    该Si9987是一个综合的,缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13

    2013-2-7