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SI9936DY价格
参考价格：￥1.9829
型号：SI9936DY 品牌：Fairchild 备注：这里有SI9936DY多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI9936DY批发/采购报价，SI9936DY行情走势销售排行榜，SI9936DY报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI9936DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching ■ TrenchMOS™ technology. Applications ■ DC to DC convertors ■ DC motor control ■ Lithium-ion battery applications ■ N | Philips 飞利浦 |   | |
SI9936DY | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：240.97 Kbytes Page：3 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 30V, ID= 6.5 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
RS232/423 Low Cap, #24-15c, FPE, O/A FoilBraid, PVC Jkt, CM Product Description Computer EIA RS-232/423 Cable, 24 AWG stranded (7x32) tinned copper conductors, Datalene® insulation, overall Beldfoil® (100 coverage) + tinned copper braid shield (65 coverage), drain wire, PVC jacket. | BELDEN 百通 | | ||
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.03289 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Industrial temperature calibration selection guide 文件：1.9644 Mbytes Page：16 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02515 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.025109 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SI9936DY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9936DY
- 功能描述
MOSFET SO8 DUAL NCH
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2019+ |
SOP8 |
18000 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
VISHAY/威世 |
新年份 |
SOP-8 |
2500 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP8 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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VISHAY |
17+ |
SO-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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97+ |
SOP8 |
2890 |
全新原装进口自己库存优势 |
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SILINIX |
23+ |
SOP-8P |
12735 |
||||
VISHAY |
0213+ |
SOP-8 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
|||
VISHAY/威世 |
2223+ |
SOP-8L |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
PHI |
24+ |
SOP8 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
SI9936DY规格书下载地址
SI9936DY参数引脚图相关
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...
2013-2-7SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7
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