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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI9933DY

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

TEMIC

SI9933DY

双P沟道增强型MOSFET

TEMIC

SI9933DY-T1-E3

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.05592 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI9933ADY

Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features · –5 A, –20 V, RDS(ON) = 75 mW @ VGS = –4.

FAIRCHILD

仙童半导体

SI9933ADY

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：48.7 Kbytes Page：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

NDS9933

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This P-Channel enhancement mode power field effect transistor is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to mini mize on-state resistance and provide superior switching performance.

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS9933A

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：191.61 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SI9933DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9933DY

  • 制造商

    TEMIC

  • 制造商全称

    TEMIC Semiconductors

  • 功能描述

    Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

SI9933DY供应商更多...

更新时间：2026-5-17 22:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；

    2020-9-18

  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30

  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30

  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作

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  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25

  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...

    2013-2-7

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