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SI9928DY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-17 23:01:00
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    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作

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    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

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