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位置：首页 > IC中文资料第11075页 > SI9707DY-T1-E3

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI9707DY-T1-E3

PC Card (PCMCIA) Dual Interface Switch

文件：63.23 Kbytes Page：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SI9707DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9707DY-T1-E3

  • 功能描述

    开关 IC - 各种 PCMCIA Dual Power Interface Switch

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 电源电压-最大

    4.4 V

  • 电源电压-最小

    2.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装/箱体

    WLCSP-9

  • 封装

    Reel

SI9707DY-T1-E3供应商更多...

更新时间：2025-8-5 23:01:00
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SI9707DY-T1-E3规格书下载地址

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    2025-2-15

  • SI9182DH-AD-T1

    2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器

    2020-8-24

  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30

  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25

  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25

  • SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器，有了错误标志/上电复位

    特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V（RMS）噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志（电源良好或POR） 固定1.5 V，1.8 V，2.0- V，2.5 V，2.8-2.85- V，2.9 V，3.0 V，3.3 V，5.0- V的，或可调输出电压选项 特别订购

    2013-1-12

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