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SI9424DY-T1-E3

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-25 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SI9424DY-T1-E3芯片相关品牌

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SI9424DY-T1-E3数据表相关新闻

  • SI9139DG-2515-T1 原装现货 价格优势 数量有限

    公司只做原装以质量求生存,以诚信谋发展

    2022-6-1
  • SI9182DH-AD-T1

    2OutputFixed1.8V,3.3VSMD/SMT低压差稳压器,40V1OutputSMD/SMTPositive低压差稳压器,1Output5VSOT-23-5低压差稳压器,SMD/SMTNegative低压差稳压器,15V1ASOT-223-3低压差稳压器,1Output1AAdj低压差稳压器

    2020-8-24
  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC-DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60-ns的propogation延迟,3000pF负载25ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。特点4.5至5.5V操作

    2013-2-25
  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di/dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25
  • SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器,有了错误标志/上电复位

    特点在350mA负载低150mV的低压降保证350mA输出电流600mA峰值输出电流能力使用低ESR陶瓷输出电容器快速的负载和线路瞬态响应只有100-V(RMS)噪声噪声旁路电容器1-最大关机电流内置短路保护和热保护规管外的错误标志(电源良好或POR)固定1.5V,1.8V,2.0-V,2.5V,2.8-2.85-V,2.9V,3.0V,3.3V,5.0-V的,或可调输出电压选项特别订购

    2013-1-12