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SI7962DP-T1-GE3

SI7962DP-T1-GE3

STMicroelectronics

STMicroelectronics

 

SI7962DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7962DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 13:28:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
25+23+
QFN8
31315
绝对原装正品全新进口深圳现货
VISHAY/威世
23+
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VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
50000
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Vishay Siliconix
22+
PowerPAK? SO8 Dual
9000
原厂渠道,现货配单
VISHAY
24+
QFN
5
NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
国产
25+
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
VISHAY
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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