SI7922DN-T1-E3

时间:2020-9-9 10:28:00

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产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 195 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.6 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.04 mm

长度: 3.3 mm

系列: SI7

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 5.3 S

下降时间: 11 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 8 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: SI7922DN-T1

2025-8-11 23:39:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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