位置：首页 > IC中文资料第1397页 > SI7156DP-T1-GE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VBsemi | ETC |   | ||
VISHAY | ETC | | ||
V | ETC | | ||
V | ETC | | ||
V | ETC | | ||
V | ETC | | ||
V | ETC | | ||
V | ETC | |
SI7156DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7156DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-28 23:01:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
55 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
VISHAY/威世 |
2517+ |
QFN-8 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
06+ |
QFN-8 |
55 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
Vishay(威世) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
7000 |
SI7156DP-T1-GE3规格书下载地址
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