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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI6866DQ-T1-E3 | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：91.45 Kbytes Page：5 Pages | VAISH 威世 |   |
SI6866DQ-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI6866DQ-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 5.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-23 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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