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SI6866DQ-T1-E3中文资料

厂家型号

SI6866DQ-T1-E3

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91.45Kbytes

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5

功能描述

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

MOSFET 20V 5.8A

数据手册

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生产厂商

Vaishali Semiconductor

简称

VAISH

中文名称

Vaishali Semiconductor官网

LOGO

SI6866DQ-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI6866DQ-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.8A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-29 10:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2016+
TSSOP8
6528
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VISHAY
08PB
TSSOP-8
3000
VISHAY
1709+
TSSOP-8
45000
普通
VISHAY/威世
21+
MSOP8
50000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
VISHAY/威世
23+
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